英特尔和Micron称下一代25纳米NAND取得突破
据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。
首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售，用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储单元中保存三位信息，而非像传统芯片那样保存一到两位信息，英特尔宣称，这种芯片是目前市场上最有效率的。
英特尔副总裁及NAND开发组主管Tom Rampone声称25纳米已经是业界最小的尺寸，在开发完成25纳米程度的三层存储单元之后，公司还将继续为用户探索和发展更高级的产品。公司计划利用IMFT的设计和制造业地位来为用户提供更高性价比的产品。
目前IMFT正与三星以及其他公司争夺利润日趋丰厚的NAND市场。随着移动存储市场的增长以及公众对于固态硬盘兴趣的增多，芯片厂商正在为获得市场上最好的硬件而竞争。
Tom还说他们正在致力于使8GB的三层存储单元NAND闪存设备符合最终产品设计。
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