半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
总结：
对于需要高能效的应用而言，采用软开关技术的半桥拓扑结构越来越受设计人员青睐。但要驱动半桥拓扑结构中的高端MOSFET，设计人员面临着是选择变压器或是硅芯片等不同驱动方案的选择。本文分析了不同驱动方案的设计考虑因素、相关问题及解决之道，并从多个角度对比了这两种驱动方案。尽管精心设计的话，这两种驱动方案都可以良好工作，但安森美半导体建议选择诸如NCP5181这样的硅芯片驱动方案，在简化布线及设计的同时，也可避免变压器驱动方案的诸多问题，帮助设计人员缩短设计周期，加快产品上市进程。
参考资料：
1、半桥驱动器：采用变压器还是全硅驱动，安森美半导体培训教程， www.onsemi.com/pub/Collateral/HB%20-%20Half-Bridge%20Drivers,%20a%20Transformer-Based%20Solution%20or%20an%20All-Silicon%20Drive%20-%20bilingual.rev0.pdf
2、NCP5181数据手册，http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF
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