Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片之后，他们已经于日前成 功开发出了基于26nm制程的NAND闪存芯片。他们并称将于今年7月份开始量产基于26nm制程的64GB容量NAND闪存芯片产品.
按闪存芯片市占率计算，Hynix公司去年在闪存芯片市场上的市占率排在第三位，仅次于排在前两位的三星与东芝公司。据此前的报道显示，三星公司和由Intel和镁光公司合资成立的IM Flash公司均计划于今年第二季度推出基于25nm制程的NAND闪存芯片产品
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