ARM制成45nm SOI测试芯片 功耗降低40%

EDA/PCB 时间:2009-10-12来源:电子产品世界

  据ARM的研究人员的报道,公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比,功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。

关键词: ARM 45nm SOI 测试芯片

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