等离子处理提高65nm逻辑器件可靠性

EDA/PCB 时间：2009-05-20来源：网络


沉浸和预处理时间的影响

为了进一步了解NH3等离子预处理对器件电学性质的作用，作了一些实验研究沉浸（NH3和N2）和预处理（NH3）时间对VBD性能的影响。

实验结果显示，沉浸和预处理总时间增加时，击穿电压大大提高（图6），这可能是因为Cu/SiN界面的改善，与Cu/SiN界面上C和O含量的减少是一致的。

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关键词： SiN 65nm

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