飞思卡尔推出最高功率的LDMOS射频功率晶体管
飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。
这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。
以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。
飞思卡尔副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示：“MRF6VP11KH的推出，在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备（包括LDMOS、MOSFET和双极）都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备，让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。”
这种晶体管在10-150 MHz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (VHV6) LDMOS（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50V VHV6 LDMOS设备系列，能够满足在频率高达450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM应用所需的要求。
ABI Research半导体研究主任Lance Wilson表示： “飞思卡尔凭借50V LDMOS已经突破RF 1 kW脉冲功率级别。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低热阻和高输出失配可存活性都给人留下了深刻印象。”
这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。
以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。
飞思卡尔副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示：“MRF6VP11KH的推出，在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备（包括LDMOS、MOSFET和双极）都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备，让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。”
这种晶体管在10-150 MHz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (VHV6) LDMOS（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50V VHV6 LDMOS设备系列，能够满足在频率高达450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM应用所需的要求。
ABI Research半导体研究主任Lance Wilson表示： “飞思卡尔凭借50V LDMOS已经突破RF 1 kW脉冲功率级别。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低热阻和高输出失配可存活性都给人留下了深刻印象。”
关键词： 嵌入式系统 单片机 飞思卡尔 LDMOS 晶体管 嵌入式
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