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    1月16日，中国科学院上海光学精密机械研究所“极紫外光刻机光源技术研究”项目通过验收，这标志着我国在下一代芯片工艺核心技术——极紫外光刻(EUVL)光源转换效率上已达国际先进水平。
　　作为一种新型的微电子光刻技术，“极紫外光刻”以波长为13.5纳米的“软X射线”为曝光光源，最终将成为生产更细线宽集成电路的主流技术

关键词： 中科院 紫外光 其他IC 制程

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