瑞萨科技发布用于功率MOSFET的 LFPAK-I上表面散热型封装
瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I（无损耗封装－倒装型）上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式，它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品，现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率MOSFET：HAT2165N、HAT2166N和HAT2168N，从2004年7月开始，将在日本开始样品发货。
这种新封装的特性总结如下。
(1)与瑞萨科技先前的封装相比，安装散热热阻值减小了40%，电流容量大约提高了30%。
LFPAK-I使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构，与瑞萨科技目前的通过印刷线路板散热的LFPAK封装形式相比，LFPAK-I的热沉安装在顶部（使用强制空气冷却时），热饱和状态下的安装热阻值大约减小了40%，从25
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