华为依托τ缩放法则,定下 2031 年等效 1.4 纳米芯片目标

时间:2026-05-26来源:EEPW编译

华为公布高端芯片发展目标:计划在 2031 年实现等效 14 埃(1.4 纳米)制程的晶体管密度,核心依托其自研的τ缩放法则设计理念。华为此次提出 1.4 纳米相关目标,并非意味着国内已攻克顶尖光刻技术,而是试图将芯片性能提升的核心方向,从传统的栅极尺寸缩减,转向时序优化、互联布线与系统级能效升级。

华为表示,何庭波在上海举办的2026 年 IEEE 国际电路与系统研讨会上正式介绍了这套技术方案。配套的逻辑折叠架构,能够缩短关键路径布线,降低信号传输过程中的电阻与电容负载。

华为 1.4 纳米目标:聚焦等效晶体管密度

这一概念的区分至关重要。如今的制程节点名称,早已不再单纯指代晶体管的实际物理尺寸,华为此次采用的正是等效制程的表述。按照规划,依托 τ 缩放法则设计的高端芯片,有望在 2031 年达到 14 埃制程对应的晶体管密度水平。

华为同时透露,过去六年里,该技术方案已落地应用,累计完成381 款芯片的设计与量产,覆盖智能手机、人工智能计算等多个领域。定于 2026 年秋季推出的麒麟芯片,将率先搭载逻辑折叠架构。从长远来看,通过在器件、电路、芯片乃至系统全层级降低信号延迟,即便在现有制造条件受限的情况下,也能充分挖掘芯片性能潜力。

华为 1.4 纳米路线图的现实边界

横向对比来看,这一目标颇具挑战性。台积电将 A14 工艺定为下一代顶尖逻辑制程,并计划于 2028 年实现量产。华为的目标节点晚三年落地,且定义为等效晶体管密度,并非晶圆厂传统意义上的标准制程。

外界无法回避地缘管制带来的影响。相关限制使得国内难以获取最先进的光刻设备及芯片制造技术,也倒逼国内企业另寻出路,从芯片设计、先进封装以及基于深紫外光刻(DUV)的复杂多重曝光工艺等方向突破。此前已有报道提及,华为曾采用四重曝光技术研发 5 纳米芯片,这一技术路线早已明确。

因此,τ 缩放法则本质上是应对技术封锁的战略性替代方案,并非在传统制程赛道上实现跨越式反超。缩短互联线路、降低延迟、优化数据传输效率,对于人工智能加速器、大型计算系统而言价值显著。但这套 1.4 纳米路线图能否真正转化为具备市场竞争力的产品,还取决于功耗、散热、良率、设计工具配套以及软件生态等多重因素,目前该技术仍停留在学术会议公布成果的阶段。

关键词: 人工智能 华为 晶圆 中芯国际 海思

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