罗姆发布第5代碳化硅MOSFET，导通电阻降低30%
据罗姆官方消息，日本半导体制造商罗姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。新产品通过改进器件结构和优化制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下，导通电阻较上一代产品降低了约30%。罗姆指出，这款SiC MOSFET在电动汽车（xEV）牵引逆变器等高温环境下表现出色，能够有效缩小单元体积并提升输出功率。同时，该芯片还非常适合用于AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源系统，展现了其在高性能应用场景中的潜力。
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