1200V 碳化硅半桥模块问世，为 IGBT 方案提供简易升级路径
SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。
来源：Anattawut | Dreamstime.com
SemiQ 公司开发的 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块，主要面向数据中心制冷系统中的电机驱动、储能系统电网变流器以及工业驱动设备。
该系列共六款产品，其中两款的导通电阻 RDS (on) 仅 1mΩ，在 62mm×152mm 封装内实现 240W/in³ 的功率密度。QSiC Dual3 系列旨在以最小的设计改动，实现对 IGBT 模块的直接替换。
所有 MOSFET 芯片均经过超过 1450V 的晶圆级栅氧化层老化测试筛选。此外，该系列模块具有更低的结壳热阻，可使用更小、更轻的散热器，显著简化系统设计。
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