新一代固态变压器支持AI数据中心800V高压直流
AI数据中心用电需求快速增长。传统供电架构采用体积庞大的低频变压器，效率低、占地大，难以适配下一代数据中心高压直流配电需求。
Navitas Semiconductor与洛桑联邦理工学院推出全新解决方案。
2026年APEC展会上，两家机构联合发布了一款250kW固态变压器（SST）方案，在德克萨斯州圣安东尼奥首次公开亮相。该方案由 EPFL 电力电子实验室依托 HeatingBits 项目研发。
核心技术是单级模块化桥式整流SST拓扑，直接从3.3kV交流电转换为800V直流电，输出功率250kW。去掉了传统低频变压器这一中间环节，供电链路的体积和复杂度都大幅降低。
器件层面，方案采用Navitas GeneSiC系列碳化硅器件，包括3,300V超高压和1,200V高压SiC沟槽辅助平面MOSFET及SiC模块。SiC相比传统硬器件，在高压、高频场景下损耗更低，支撑了整套方案在效率和可靠性上的设计裕量。
EPFL电力电子实验室主任Drazen Dujic教授对此评价，这一固态变压器平台在中压交流电网与800V直流数据中心架构之间，提供了一个具备电气隔离、灵活可扩展的高效接口，同时也构成了先进分布式控制研究的真实实验环境。他还指出，借助Navitas SiC器件组合，EPFL得以在系统效率和设计裕量之间实现最优平衡。
为什么是800V直流？
数据中心配电正经历结构性转变。高压直流配电线路损耗更低、转换级数更少，在超大规模AI算力集群中优势突出。800V是下一代数据中心架构的重要方向，核心挑战在于高效紧凑地完成中压交流到800V直流的转换。固态变压器单级拓扑打通这一环节，减少多级转换带来的效率损耗与硬件堆叠。
该技术从实验室原型走向数据中心落地仍需工程化推进。本次发布证明，SiC器件可支撑高压大功率固态变压器实用化，高压直流配电技术路径更加清晰。
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