NAND报价狂涨:LTA将成为存储器行业主流模式

  作者:陈玲丽 时间:2026-04-14来源:电子产品世界

本轮半导体行业复苏的核心引擎,当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测,MLC(及成熟制程TLC)产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%,下半年供需失衡幅度或达40%,缺口持续扩大助推价格飙升。

DRAM涨幅逐步收敛,反观NAND价格动能转强,甚至超越DRAM:预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%,NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失,终端客户库存普遍仅剩六至九个月,供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指出,传统闪存很可能成为「下一个DDR4」。

主要原因在于NAND价格基期较低,加上AI推理需求带动储存用量提升,同时存储大厂将产能优先集中于毛利率高达80%的DRAM,而压缩NAND供给,进一步推升价格表现。

这一趋势直接带动相关企业股价暴涨。今年以来,闪迪(SanDisk)股价的涨幅已超过258%,近一年来(2025年4月11日以来)的涨幅更是超过2641%。纳斯达克宣布,闪迪将于2026年4月20日开盘前,正式成为纳斯达克100指数成份股,取代软件即服务(SaaS)巨头Atlassian公司。

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纳斯达克100指数追踪在纳斯达克上市的100家最大规模非金融类企业表现

NAND价格上涨的驱动因素

去年上半年之前一直供过于求的NAND闪存库存迅速下降,导致价格飙升。这是由于NAND闪存巨头三星电子和SK海力士在AI需求增长的背景下,将重心转向高带宽内存(HBM)等DRAM产品,从而减少了NAND闪存的产量。据市场研究公司DRAMeXchange的数据显示,128Gb MLC NAND闪存的价格从去年1月的2.18美元飙升至今年3月的17.73美元,涨幅高达八倍。

NAND闪存价格上涨并非仅仅源于供应短缺,而是AI需求驱动下的质变。当ChatGPT等聊天机器人刚兴起时,利用海量数据集预训练模型至关重要,而高速数据传输则依赖于HBM;如今,AI的发展趋势已从“学习”转向“推理”,在长文本问答中保持上下文关联性需要NAND闪存来存储既有内容并承载实时检索。

此外,数据中心服务器的四到六年更换周期已经到来,而近线硬盘(数据中心高容量存储设备)的短缺进一步刺激了对高容量固态硬盘的需求。因此,NAND闪存产品的需求将在未来2-3年内持续增长,预计今年全球NAND市场销售额将达到1473亿美元,较去年同期增长112%。

与已固化为三星电子、SK海力士和美光三大巨头的DRAM市场不同,NAND市场竞争激烈且变化较大。尽管排名前两位的三星电子(32%)和SK海力士(20%)正在减产NAND并专注于DRAM,但像日本铠侠(排名第三,14%)和美国闪迪(排名第五,12%)这样的二线厂商正在积极投资,力图抢占市场。

LTA成为主要合同模式

日本NAND闪存厂商铠侠(Kioxia)正与一家大型云服务及虚拟服务器提供商洽谈为期三年、覆盖至2029年的长期供货协议(LTA)。目前,铠侠今年产能已售罄,预计供应短缺将持续至明年。

LTA是将以往按季度签订的半导体供应合同转变为长期协议,买家利用长期协议在供应短缺时确保供应,提前锁定未来数年的供应量与价格。近期,SK海力士正与微软就DDR5产品洽谈三年长期协议,美国美光也签订了锁定供货量与价格的五年战略客户协议(SCA),在DRAM市场LTA已逐渐成为主流的背景下,也加剧了对NAND闪存的争夺。

随着铠侠的NAND闪存面临短缺,大型科技公司正争相采取行动。传统上,LTA主要集中于HBM和通用DRAM领域,但现在已扩展到NAND闪存。

1月29日,闪迪首席财务官Luis Visoso宣布已敲定含预付款条款的NAND闪存LTA。为保障稳定供货,闪迪将其与铠侠在日本四日市和北上工厂的联合投资协议延长五年至2034年,并同意向铠侠支付11.65亿美元的制造服务和供应保障费用。闪迪首席执行官David Goeckeler透露,数据中心存储容量需求增速预期已从年初的25%左右大幅上调至近70%。

此外,在企业级固态硬盘市场领先的三星电子和SK海力士旗下子公司Solidigm也在扩大NAND闪存长期合同签订规模。同时,西部数据已与7家超大规模云服务商签订确定订单合约,其中与3家客户达成覆盖2027-2028年、锁定大额供货量与价格的LTA;希捷今年的近线硬盘订单量已全部售罄,且与主要云客户签订了至2027年的LTA。

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值得注意的是,NAND闪存和机械硬盘(HDD)正在形成一种“循环结构”:AI存储需求增长推高NAND闪存价格,凸显HDD(同等容量价格约为SSD的十分之一)的成本优势,带动HDD需求;而HDD短缺又促使市场转向SSD,推动整个存储市场进入“繁荣周期”。

尽管市场处于景气周期,NAND厂商对扩产仍持保守态度。铠侠今年计划投资4000亿日元用于设备建设,同比增长40%,但仍低于2023年的5100亿日元。业内预计,三至五年的LTA将成为存储器行业主流合同模式。不过,有业内人士担忧,LTA可能加剧存储半导体市场两极分化,一位科技行业人士表示:“未能与科技巨头签订大额长期协议的消费端及中小客户,货源获取难度将进一步加大,市场分化可能加剧。”

关键词: NAND LTA 存储器 闪存 DRAM AI 闪迪

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