电子产品世界

简介

在5G通信、数据中心、工业电源、充电桩和车载电源等应用中，小型化、轻量化要求功率器件具备更高的开关频率、更小的死区时间，而系统复杂化与高压应用则对隔离器件的可靠性提出了更高要求。对此，纳芯微电子提供低传播延时、高可靠性、高集成度、基础型/增强型隔离的隔离驱动芯片解决方案，特别适合当前开关电源设计智能化、小型化的趋势。

技术优势

• 高隔离耐压

5.7kVRMS 隔离耐压，爬电距离 > 8mm，满足增强隔离要求，适用于新能源汽车、工业自动化等高可靠性应用。

• 超高 CMTI

高达 150kV/μs 的共模瞬变抗扰度，在快速开关过程中保持稳定驱动，特别适用于 SiC/GaN 宽禁带半导体应用。

• 全面保护功能

集成 DESAT 退饱和保护、米勒钳位、软关断、UVLO 欠压锁定、ASC 主动短路等多重保护机制。

隔离栅极驱动选型

NSI671x-Q1引脚配置与说明

NSI671x-Q1绝对最大额定值

NSI671x-Q1静电放电（ESD）等级

NSI671x-Q1推荐工作条件

NSI671x-Q1热特性信息 / 热参数信息

• 标准 JESD51‑7 高热导率测试板（2S2P），在 JESD51‑2a 规定的环境中测试。

• 标准 JESD51‑7 高热导率测试板（2S2P），采用 JESD51‑14 规定的瞬态双界面测试法。

• 通过在 JESD51‑2a 规定的环境下进行仿真得到。

NSI67xx-Q1系列产品特性

• 高隔离耐压：5700Vrms

• 符合 RoHS 标准的封装：SSOW20 (6.4mm*10.3mm)，爬电距离 > 8mm

• 集成隔离模拟采样功能：可用于温度或电压检测，有助于简化系统设计

• 支持 ASC 功能 (原边 / 副边)：异常情况下可强制输出至安全状态

• 高抗干扰能力：CMTI≥150kV/μs，适配复杂电驱电磁环境

• 高驱动能力：±10A 拉灌电流，轨到轨输出，满足 SiC/IGBT 高功率密度电驱需求

• 完善的保护功能：过流和短路保护 (DESAT/OC)，软关断功能，米勒钳位功能，UVLO 欠压保护功能，故障报警 (FLT/RDY 引脚指示)

• 通过 AEC-Q100 车规认证

NSI67xx-Q1发布小封装版本

封装尺寸减小约 40%，助力小型化的电驱系统设计

适配场景

更适配对布板面积要求较高的场景，例如搭配紧凑型功率模组使用

NSI67xx-Q1助力电驱系统实现 ASIL C 功能安全目标

• 极致性价比方案

• 德凯权威评估

• 覆盖 400V 及 800V 高压系统

• 全面兼容 SiC 与 IGBT 功率平台

NSI67xx-Q1 SSOW20 封装与选型

NSI67xx-Q1 全新推出的小封装系列隔离栅极驱动芯片现已全面量产。

关键词： 纳芯微电子 PrimeDrive 隔离栅极驱动 封装版本 紧凑型设计