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若新提案正式立法，中国芯片制造商将无法采购用于成熟制程晶圆厂的先进设备。

美国两党多名参议员联合提出一项新法案，拟近乎全面禁止向敌对国家特定实体出口先进晶圆制造设备（WFE），该法规将补充现有以晶圆厂为目标的禁令。一旦生效，长鑫存储（CXMT）、华虹（HLMC）、中芯国际（SMIC）、长江存储（YMTC）等中国头部芯片企业，将无法为成熟制程工厂采购先进设备，也不能将其转用于先进制程产线。

提案原文称：包括长鑫存储、华虹、华为、中芯国际、长江存储在内的部分实体，正致力于生产先进制程集成电路，这些芯片对中国军民融合战略至关重要，因此有必要实施全面出口管制，阻止这些企业获取采用美国技术制造的产品。

美国政府早在 2021 年底就已限制向中国等潜在对手出售先进晶圆制造设备。根据现行管制规则，美国企业及后续荷兰、日本等盟国企业，向中国实体出口可用于14nm 逻辑芯片、18nm 级 DRAM、128 层及以上 NAND生产的晶圆制造设备时，必须获得美国政府出口许可证。新提案并未新增管制品类，而是改变设备许可发放方式。

当前出口管制针对具体晶圆厂（无论是否被美国列入黑名单），而非拥有这些晶圆厂的企业实体。这意味着，设备厂商可向中芯国际等公司出口 ASML Twinscan NXT:1950i/1980Di 等先进机型（可升级至受制裁的 5nm 级别 NXT:2000i），只要这些设备不用于先进制程即可。但由于中国芯片企业与相关部门不配合核查，监控设备实际用途难度极大。而这些先进设备确实被用于中芯国际 N+1、N+2 等 7nm 级芯片生产。

新提案《MATCH 法案》将出口管制从以厂为单位转向以企业（及关联方）为核心的混合模式，同时保留晶圆厂触发机制。如此一来，中芯国际等企业将无法先为成熟制程工厂采购先进设备，再转用于 7nm 级先进制程产线。

此外，《MATCH 法案》旨在推动全球半导体设备出口管制统一口径。美国将先与荷兰、日本、韩国、中国台湾等设备供应方协调；若协调失败，美国将扩大域外管制，覆盖任何含美国技术（比例＞0%）或依赖美国技术维护的外国制造设备，最终封堵现有管制漏洞。

关注美国先进晶圆设备管制的读者可能会问：受制裁中国实体能否通过非制裁中间商获取高端设备？据本文分析，尽管中间商理论上可非法获取并转售设备，但《MATCH 法案》明确禁止通过中间商规避管制，出口管制覆盖最终用途、最终用户、再出口及维护全链条。通过第三方转道设备不仅无法绕过限制，还会导致所有相关方失去未来先进设备采购权及现有设备维护服务，最终让设备逐步报废。

该法案虽无法彻底杜绝小规模设备泄露、一次性转用或黑市交易，但旨在切断中国实体当前用于建设、维护顶级晶圆厂的稳定供应链。

最后，《MATCH 法案》引入75% 自给率阈值作为自动校准机制，仅对中国无法自主生产的真正技术瓶颈实施管制。例如：若中国某类设备（刻蚀、沉积设备等）自给率达 75%，美国政府将不再限制对华出口。新法案思路是：仅在具备战略优势时实施管制，中国本土替代形成规模后即放宽限制。这对泛林、应用材料等美国刻蚀 / 沉积设备厂商至关重要 —— 目前它们仍领先中微公司、北方华创等中国企业，但后者已具备国际一流水平；一旦中国厂商形成规模，美国企业将失去中国市场战略地位，美国政府也将停止管制相关设备出口。

关键词： DUV 光刻机 刻蚀设备

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