Rapidus获17 亿美元融资，用于2纳米芯片量产
这家位于北海道的晶圆厂已建成试运行产线，且正与 60 余家潜在客户进行洽谈。
日本政府支持的芯片企业 Rapidus 宣布，已完成 2500 亿日元（约 16 亿美元）融资，投资方包括日本政府以及索尼、丰田、软银、佳能、富士通、电装、铠侠、精工爱普生等 30 家私营企业。此次融资将助力该公司于 2027 财年，在其位于北海道千岁市的 IIM-1 晶圆厂实现 2 纳米芯片的大规模量产。
据彭博社报道，根据融资协议，日本政府初期将持有 Rapidus 约 10% 的有投票权股份，同时持有其多数无投票权股份；若该公司陷入财务危机，政府有权将无投票权股份转换为有投票权股份，从而取得多数控股权。日本经济产业省官员南部智成向记者透露，政府还获得了带有 “黄金股” 性质的股份，拥有对该公司重大经营决策的否决权。
日本经济产业省还计划将下一财年（4 月起）针对先进半导体和人工智能研发的预算支持提升至约 1.23 万亿日元，较此前近乎翻四倍。日本高市早苗政府并非单独倚重 Rapidus，近期还促成台积电承诺升级其在日本的技术与工厂。
2 月 26 日周四，Rapidus 社长小池厚义在新闻发布会上表示，公司目前正与 60 余家企业展开积极洽谈，这些企业计划为人工智能、机器人和边缘计算领域设计芯片。“今年年初以来，客户对尖端芯片的需求激增。” 小池厚义称，市场对 2 纳米芯片的关注度尤为高涨，公司还计划在 2 纳米之后，进一步向 1.4 纳米和 1 纳米制程节点迈进。
此次政府注资的背后，是 Rapidus 实打实的技术突破。2025 年 4 月，该公司正式启用 2 纳米芯片试运行产线；同年 7 月，便成功研制出可正常工作的 2 纳米全环绕栅极（GAA）晶体管。与鳍式场效应晶体管（FinFET）架构相比，全环绕栅极晶体管从四个方向包裹晶体管沟道（传统架构为三个方向），能更好地控制电流，同时减少漏电。Rapidus 在北海道的工厂配备了阿斯麦（ASML）的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备；据悉，作为技术转让合作的一部分，IBM 已派遣约 10 名工程师驻厂支持。
据本报本月早些时候报道，Rapidus 计划初期以每月 6000 片 12 英寸晶圆的产能启动 2 纳米芯片量产，并在投产首年将产能提升至每月约 25000 片。该公司实现这一产能目标的总投资预计约 4 万亿日元，截至目前，各方已承诺的投资约 1.7 万亿日元。
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