激光诱导和评估电子材料中的深奥行为

EDA/PCB 时间:2025-09-09来源:

似乎几乎每天都有一份可靠的报告或学术论文详细介绍了激光实现的另一种“技巧”(请注意,我的意思是积极、有益的意义上的“技巧”)。这很讽刺,因为当西奥多·迈曼 (Theodore H. Maiman) 于 1960 年向媒体(当时的称呼,现在被称为“媒体”)展示第一台红宝石(光学)激光时,有些厌倦的记者打趣说激光是“寻找要解决的问题的解决方案”。

好吧,我们现在知道结果如何了。激光及其多种表现形式现在已成为标准工具。它们既重要又灵活,继续推动科学、医学、工业和消费品领域的无数产品和发展,从显而易见的到前沿的深奥进步。

最近的两个例子表明,激光如何让我们重新思考电子行业使用的基本材料的可能性。

看到“非磁性”金属的磁性

科学家们通过仅使用光和改进的激光技术检测非磁性金属中的磁信号,破解了一个百年之久的物理学之谜。这些微弱的磁性“耳语”以前无法检测到,现在可以测量,揭示了隐藏的电子行为模式。

一个多世纪以来,科学家们一直知道普通霍尔效应,即洛伦兹力使电子偏转并产生横向霍尔电压。简而言之,电流在磁场中“弯曲”。在铁等磁性材料中,这种效应很强,并且被很好地理解为异常霍尔效应 (AHE)——异常大的霍尔电压被施加的磁场饱和。然而,在铜或金等普通非磁性金属中,这种效应要弱得多。

从理论上讲,一种称为磁光克尔效应 (MOKE) 的相应现象应该可以帮助科学家可视化光和磁场相互作用时电子的行为。但在可见光波长下,这种光学霍尔效应 (OHE) 太微妙而无法检测到。OHE 主要在有效电子位移较大的太赫兹和红外频率下测量。

可以通过调制外部磁场来提高对克尔信号的灵敏度。然而,当使用电磁铁时,这只能在不切实际的低速率和振幅下完成。

现在,由希伯来大学(以色列)领导的多大学团队,以及魏茨曼科学研究所(以色列)、宾夕法尼亚州立大学(美国)和曼彻斯特大学(英国)的研究人员,已经解决了这一困境。他们使用 440 nm、40 mW 激光器升级了 MOKE,以测量磁性如何改变光的反射。

他们将 440 nm 蓝色激光器与外部磁场的大振幅调制相结合,显着提高了该技术的灵敏度(图 1)。结果:他们能够拾取铜、金、铝、钽和铂等非磁性金属中的磁性“回波”——这是以前被认为几乎不可能实现的壮举。

希伯来大学普通霍尔效应、AHE、MOKE 和 OHE 之间的类比1. (a) 普通霍尔效应、AHE、MOKE 和 OHE 之间的类比。(b) 摩天 MOKE 实验装置。插图:单个磁铁的磁场线图。(c) 由于y中的线性偏振光场和外部施加的磁场Bz,在x中诱导横向偏振的示意图。(d) l = 1、3 和 5 mm 的 Bz 测量时间剖面(电动平移级控制样品-磁体距离 l,而光电探测器上的压降 VPD 使用锁相放大器测量)。

该团队发现,他们的信号中看似随机的“噪声”根本不是随机的。相反,它遵循一种与称为自旋轨道耦合的量子特性相关的明确模式。该特性将电子的移动方式与它们的旋转方式联系起来,这是现代物理学中的一个关键行为。该技术提供了一种非侵入性、高度灵敏的工具,用于探索名义上非磁性金属的磁性,但不需要大量磁体或低温条件。它还能够确定吉尔伯特阻尼参数。

吉尔伯特阻尼

吉尔伯特阻尼描述了材料中的磁化强度损失能量并弛豫至平衡的速率。该项表示驱动磁化矢量朝有效磁场 H 方向方向的扭矩,其强度由阻尼常数给出。吉尔伯特阻尼在磁系统和器件的自旋动力学中起着关键作用。

这里有一些科学结论:埃德温·霍尔(同名效应)试图使用光束测量这种特性,但他没有成功。他在 1881 年的一篇论文的最后一句话中总结了他的努力:“我认为,如果银的作用是铁的十分之一,那么这种效应就会被检测到。没有观察到这样的效果。

这里有什么实际用途?与许多深度物理实验一样,答案很简单:我们不知道,至少现在还不知道。它可能——关键词是“可能”——对磁存储器、自旋电子器件甚至量子系统的设计产生影响。完整的细节在他们发表在《自然通讯》上的激烈而复杂的论文“可见波长下的敏感 MOKE 和光学霍尔效应技术:对吉尔伯特阻尼的见解”中。

通过太赫兹光控制薄型半导体

比勒费尔德大学和莱布尼茨固体与材料研究所(均位于德国)的物理学家开发了一种使用超短光脉冲控制原子薄半导体的方法。该项目可以为直接由太赫兹光以前所未有的速度控制的组件铺平道路。

(请注意,这些研究人员将他们的太赫兹波称为“光”,而许多工程师将它们视为射频能量。当然,太赫兹波和我们认为的光能有一些光谱重叠。此外,由于两者都是遵循麦克斯韦方程组的电磁波,因此使用术语“光”并没有错,只是不寻常)。

科学家们能够通过实验证明,可以使用光脉冲选择性地改变材料的光学和电子特性。该技术允许在小于皮秒的时间尺度上实时控制电子结构。

诱导此类场的传统方法使用基于电子电路的门控技术,该技术仅限于微波响应速率,并且在实现与设备兼容的超快速亚皮秒控制方面面临挑战。

该团队在嵌入混合 3D-2D 太赫兹纳米天线中的原子薄二硫化钼 (MoS2) 中使用了超快场效应。该纳米天线将入射太赫兹电场转换为 MoS2 中的垂直超快门控场,同时将其增强到兆伏/厘米 (MV/cm) 水平(图 2)。它不是场效应晶体管 (FET)——至少目前还不是。

比勒费尔德大学纳米天线将入射太赫兹电场转换为 MoS2 中的垂直超快门控场2. (a) 领结天线部分周围设备的俯视图示意图。(b) 设备的侧视图示意图(a 的 A-A 部分)。(c) 制造设备的显微镜图像。虚线代表 MoS2 薄片。比例尺对应于10μm。(d)太赫兹泵浦光学探针实验示意图。红色和绿色弯曲箭头分别代表入射太赫兹场和光学探针。天线间隙中的直箭头表示增强的太赫兹门控场。蓝色和红色圆圈代表负电荷密度和正电荷密度变化。(e) 模拟场增强。黑色虚线:测量的入射太赫兹场 Fx,in。红色实线:天线间隙 Fz 中的门控太赫兹场,根据测量的入射太赫兹场 Fx,in 进行数值计算。走线和水平偏移,以显示两个信号在0 ps处的峰值。

该团队通过设计纳米级天线来实现这种控制,该天线将太赫兹光转换为 MoS₂ 等原子薄材料中的垂直电场。正如比勒费尔德大学的项目负责人兼物理学教授 Dmitry Turchinovich 博士所解释的那样,“我们的方法使用太赫兹光本身在半导体材料内产生控制信号——从而实现了一种行业兼容、光驱动、超快的光电技术,这在以前是不可能的。

天线由顶部和底部两个金电极组成,由 Al2O3 介电间隔层垂直隔开。电极水平位移,使其仅在天线的中间部分重叠,天线的横向尺寸为 10 × 10 μm。该天线具有领结偶极子形状,能够将宽带自由空间太赫兹场有效地耦合到其电极,并在亚波长天线中实现强大的局部场增强。整个天线结构沉积在玻璃基板上。

激光是如何进入这个故事的?MoS2中特征激子共振的时间分辨光谱与太赫兹泵浦光学探针(TPOP)一起使用。泵浦太赫兹场是通过在铌酸锂晶体中对持续时间为 100 fs 的 2 mJ、800 nm 激光脉冲进行光学整流产生的。

这产生了频率范围为 0.2 至 2.5 THz、中心频率为 0.4 THz 的宽带单周期脉冲传播到自由空间。然后将太赫兹波束聚焦并以法向入射指向天线。使用这种公认的复杂布置,他们能够确认这些太赫兹波以这些速率翻转了超薄材料的光学和电子特性,使该方案适合控制。

细节在他们的长篇论文中,标题简短而清晰,“二维半导体中的太赫兹场效应”,也发表在《自然通讯》上。


关键词: 激光诱导 电子材料

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