台积电2nm工艺2023年风险试产良率或达90%
据台湾经济日报报道，台积电2nm工艺取得重大突破，研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。
供应链透露，有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管（FinFET），台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构。
据悉，台积电去年成立了2nm专案研发团队，寻找可行路径进行开发。
考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件，2nm采以环绕闸极（GAA）制程为基础的MBCFET架构，解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。
极紫外光（EUV）微显影技术的提升，使台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术更为成熟，良率提升进度较预期顺利。
台积电此前透露2nm研发生产将在新竹宝山，规划P1到P4四个超大型晶圆厂，占地90多公顷。
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