低功率LED照明趋势
有了较大的灯尺寸，就有了相当大的空间来容纳LED驱动器解决方案，并且PF和低THD仍然是强制要求。
设计挑战
这些LED灯的较高瓦数会引起更高的Vds，peak(尖峰)通过MOSFET，因而需要BVDss额定值较高的MOSFET。对于高压尖峰，由于输入电流较高，BVDss额定值必须降低。图14显示了电压尖峰为汇总的Vds，peak = Vin+nVo+Vos，其中nVo是反射的输出电压，也称为Vro。
通常使用缓冲器来限制Vos峰值电压，但缓冲器会消耗能量，从而降低了LED驱动器效率：
飞兆方案
飞兆半导体的解决方案如表2所示，单级反激与2级方法的对比如表3所示。
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