刻蚀
上传用户：foolish_girl
上传日期：2009-06-14
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刻蚀 第七章 刻蚀工艺
基本概念
目的 把经过曝光,
把经过曝光, 显影后的光
定义 用光刻方法制成的微图形
刻胶微图形中下层材料的裸露部
只给出了电路的行貌 并不是真正
分去掉,
分去掉, 即在下层材料上重现与
的器件结构 因此需将光刻胶上的
光刻胶相同的图形
微图形转移到胶下面的各层材料上
去 这个工艺叫做刻蚀
02-4-26 1 02-4-26 2
2 VLSI对图形转移的
要求 dm dm dm
df
保真度 df df
选择比
均匀性 保真度
清洁度 A=|df
基本概念
目的 把经过曝光,
把经过曝光, 显影后的光
定义 用光刻方法制成的微图形
刻胶微图形中下层材料的裸露部
只给出了电路的行貌 并不是真正
分去掉,
分去掉, 即在下层材料上重现与
的器件结构 因此需将光刻胶上的
光刻胶相同的图形
微图形转移到胶下面的各层材料上
去 这个工艺叫做刻蚀
02-4-26 1 02-4-26 2
2 VLSI对图形转移的
要求 dm dm dm
df
保真度 df df
选择比
均匀性 保真度
清洁度 A=|df
关键词： 刻蚀工艺 VLSI 干法刻蚀 湿法刻蚀 等离子刻蚀 CMOS
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