外延
上传用户：foolish_girl
上传日期：2009-06-14
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外延xcl
第一章 外延及CVD工艺
§1 外延工艺
一.外延工艺概述
定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一
层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶
相延伸生长，并称此为外延层。长了外
延层的衬底称为外延片。 图1－1 Si表面原子分辨图象显示出平台是由Si的
二聚物行列组成，这些二聚物行列每生长一层
则改变其取向
2003-4-28 1 2003-4-28 2
(a)
CVD:Chemical Vapor Deposition
晶体结构良好
第一章 外延及CVD工艺
§1 外延工艺
一.外延工艺概述
定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一
层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶
相延伸生长，并称此为外延层。长了外
延层的衬底称为外延片。 图1－1 Si表面原子分辨图象显示出平台是由Si的
二聚物行列组成，这些二聚物行列每生长一层
则改变其取向
2003-4-28 1 2003-4-28 2
(a)
CVD:Chemical Vapor Deposition
晶体结构良好
关键词： 外延工艺 CVD 硅气相 HCI 腐蚀工艺 掺杂 分子束 MBE GaAs 缺陷 漂移 CMOS
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