【AM4915P-T1-PF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
上传用户：VBsemi
上传日期：2024-03-06
文件类型：PDF
文件大小：758.83K
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**VBsemi AM4915P-T1-PF-VB 产品详细参数说明：**
- **丝印标识：** VBA4317
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOP8
- **通道类型：** 2个P—Channel沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** -30V
- **漏极-源极电流（ID）：** -8.5A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 21mΩ @ VGS=10V, 21mΩ @ VGS=12V
- **阈值电压（Vth）：** -1.8V
**应用简介：**
VBsemi AM4915P-T1-PF-VB 是一款SOP8封装的P—Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于中功率开关电源和电机驱动应用。
**主要应用领域和模块：**
1. **电源开关模块：** 适用于中功率直流-直流（DC-DC）变换器、电源开关控制等。
2. **电机驱动模块：** 可用于中功率电机驱动，提供适中电流和低导通电阻的特性。
**作用：**
- 提供中功率开关控制功能。
- 用于中功率电机驱动模块，支持高效率和中功率应用。
**使用注意事项：**
1. **电压等级：** 在规定的电压范围内使用，不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。
2. **电流负载：** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。
3. **工作温度：** 在规定的工作温度范围内使用，避免超温操作。
以上信息仅为参考，实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书，确保正确使用，并遵循厂商的建议和注意事项。
- **丝印标识：** VBA4317
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOP8
- **通道类型：** 2个P—Channel沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** -30V
- **漏极-源极电流（ID）：** -8.5A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 21mΩ @ VGS=10V, 21mΩ @ VGS=12V
- **阈值电压（Vth）：** -1.8V
**应用简介：**
VBsemi AM4915P-T1-PF-VB 是一款SOP8封装的P—Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于中功率开关电源和电机驱动应用。
**主要应用领域和模块：**
1. **电源开关模块：** 适用于中功率直流-直流（DC-DC）变换器、电源开关控制等。
2. **电机驱动模块：** 可用于中功率电机驱动，提供适中电流和低导通电阻的特性。
**作用：**
- 提供中功率开关控制功能。
- 用于中功率电机驱动模块，支持高效率和中功率应用。
**使用注意事项：**
1. **电压等级：** 在规定的电压范围内使用，不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。
2. **电流负载：** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。
3. **工作温度：** 在规定的工作温度范围内使用，避免超温操作。
以上信息仅为参考，实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书，确保正确使用，并遵循厂商的建议和注意事项。
关键词： AM4915P-T1-PF mosfet vbsemi
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