自给偏压电路的工作原理
作者:dolphin
时间:2012-08-02
自给偏压电路
自给偏压电路
计算法





JFET | MOSFET | ||
N 沟 道 | |||
P 沟 道 |
场效应管的特点:
1.场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下,常选用场效应管。
2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。
3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用,而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b,S-e,D-c。因此根据BJT电路,即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换,否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
4.场效应管S极和D极是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样,必须选择合适的静态工作点,栅极必须有合适的偏压,但不出现偏流,对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同,特列如下:
类型 | VGS | VDS | 类型 | VGS | VDS |
N沟道JFET | 负 | 正 | P沟道JFET | 正 | 负 |
N沟道EMOS | 正 | 正 | P沟道EMOS | 负 | 负 |
N沟道DMOS | 正/负 | 正 | P沟道DMOS | 正/负 | 负 |
注:JFET表示结型场效应管,DMOS表示耗尽型场效应管;EMOS表示增强型场效应管。
关键词: 电子电路图,偏压电路

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