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PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor)，形成P-I-N结构而得名，如图12.1所示：




如图12.1所示，处于反偏状态的器件，电源在PN结形成的电场E与内建电场Ei同方向，使耗尽区加宽。当光波注入时，能在较宽的范
围内激发出载流子，由于i区有电场，光生载流子以较快的漂移速度向电极移动，形成外部电流：