PW2308芯片,N沟道增强型MOSFET

  作者:fanxiaoxi 时间:2023-06-30

一般说明
PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征

应用

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

电气特性(TA=25°C,除非另有说明。)

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