450-1500MHz射频功率MOSFET方案MW6S010NR1
作者：angelazhang
时间：2015-01-25
方案概述
MW6S010NR1和MW6S010GNR1专为频率达1500MHz的A类和AB类基站应用而设计，适合模拟和数字调制以及多载波放大应用。
核心优势
宽频带：450MHZ—1.5GHZ ；
高增益：用于420MHz—470MHz频段增益高达20dB；
高线性：Pout(Avg)=3W 且 互调可达到-45dBC ；
高功率：P-1功率≥ 16.7W，P-3功率≥ 20.6W(Pulsed CW f=945MHz)；
设计广范： 功率回退时可满足各种峰均比信号的线性设计；
抗静电：优异的抗静电防护能力
方案设计图
关键词： 射频 MOSFET MW6S010NR1
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