新基建需要什么样的电容器

元件/连接器   作者:TDK电子大中华区薄膜电容器产品市场部经理 徐翔,TDK电子大中华区电力电容器产品市场部资深经理 徐敏 时间:2020-09-16来源:电子产品世界


1   服务5G的电容器

TDK一直十分关注中国的新基建,尤其是5G领域 的电源发展。 5G电源一个非常重要的特点是能源效 益及能量密度明显要求加 大很多,为的是减少5G产 品的占地面积以达到小型 化的目的。此外,新的5G 有源天线模块普遍采用的 是自然冷却散热的设计, 所有这些对绝大多数被动 器件都提出新的挑战-更 高的温度耐受性。特别是 在薄膜电容方面,传统的MKP薄膜电容因为受到固有 原材料及生产工艺的限制,通常最高工作温度只能达到 110 ℃。但是TDK的爱普科斯(EPCOS)薄膜电容器打破了此枷锁并完善性的开发了适用于开关电源行业的全套 125 ℃薄膜电容。

TDK一直致力研究性能更強的薄膜电容器。已推出 许多125 ℃爱普科斯(EPCOS)薄膜电容系列,包括安规电 容X2 B3292 P/Q系列、功率矫正电容 B3267 P系列、直流 支撑电容 B3277 P系列以及谐振电容B3264系列。这些系 列产品和5G有源天线模块都能完美匹配。以X2 B3293 P/ Q为例,它不仅成功地获得了125 ℃安规证书(CQC/UL/ VDE), 而且在满足温湿测试85 ℃/85% 240 Vac 500 h的 同时保持了较小尺寸,甚至可以在客户的要求下进一步 的拓展为耐更高测试85 ℃/85% 240 Vac 1 000 h的产品。 此款在产品在刚投入市场之际便迅速受到青睐。同时, TDK的市场和研发团队也一直在关注来自于市场的新需 求,以期能及时地支持和服务目标客户。

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TDK电子大中华区 薄膜电容器产品市场部 经理 徐翔

2   服务SiC、GaN市场的电容器

在电力电子领域,基于GaN和SiC的宽带隙 (WBG) 技术正逐渐替代传统的 IGBT技术,日益广泛地 应用于铁路牵引、工业驱 动、新能源汽车驱动及充 电等新基建直接相关的应 用领域。这类新的驱动器 件本身具有以下特点:更 低的开关损失、更高的开 关频率、更高的工作温度和传导温度、更低的热阻。而对于被动元器件,尤其是与之直接相连的DC-LINK电容也提出了更高的 颠覆性的要求:更高的工作温度,更大的电流密度,更低的等效电阻和热阻,更小的等效电感特别是在GaN和 SiC这样极高的工作频率下。

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TDK电子大中华区 电力电容器产品市场部 资深经理 徐敏

面对这样的技术趋势和挑战,TDK的薄膜电力电子电容部门多年前就未雨绸缪,着手新一代的产品开发, 并同世界先进的应用客户保持密切的沟通和合作,目前已经推出了各个系列,满足WBG半导体技术的电力电子电容。其中包括:

2)爱普科斯(EPCOS)B25645普通高频电力电子电 容器,使用领先的内部均流技术,保证在SiC及高速 IGBT的高频下仍保持可靠的工作状态。额定电压范围 为700~2 300 V DC,电容值范围为(370~3 900) µF,使 用高温PP膜,最高工作温度可达90 ℃。采用模块化设 计,B25645适合多电容并联。适用于当前由IGBT向高 速IGBT或SiC技术过渡的牵引、驱动等需要较大DC-Link容值的变流应用。

3)爱普科斯(EPCOS)B25620系列新的高频电力电 子电容系列。原B25620系列是在新能源风电和光伏广泛 被使用的铝壳圆形电容。在此基础上,采用内部均流技 术,使得电容的高频ESL得到极大提高,在100 kHz以上的开关频率下具有良好的均流特性。又因其具有标准的尺寸,适合多颗并联,目前已开始在城轨牵引、新能 源等领域的前沿平台开展应用。

(本文来源于《电子产品世界》杂志社2020年9月期)

关键词: 新基建 电容器 202009

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