电子产品世界

图 4-8.用半字 SRAM 设计的半字 SRAM 组



图 4-9.字 EEPROM/SRAM 组设计

S3C44B0X的EDO DRAM组的设计

DRAM组6-7，可以有着不同的数据总线宽度，并且数据总线宽度由S/W，一个BWSCON 特殊功能寄存器组控制的。DRAM 组 6-7 的一个设计样例如图 4-10 和 4-11 所示。



图 4-10.半字 EDO/Normal DRAM 组设计



图 4-11.字 EDO/Normal DRAM 组

S3C44B0X的SDRAM 组的设计

S3C44B0X 同步 DRAM 接口特性如下：(1)SDRAM 的最大行地址：10 位；(2)CAS 延迟：2/3 周期。

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关键词： S3C44B0X存储器