基于CMOS工艺的锂聚合物电池保护电路设计
基于耗尽型NMOS管阈值电压为负值，在VGS=0时也处于工作状态，该特性可有效降低其工作电压及功耗。因而，该基准电路中利用串联的耗尽型NMOS管MN1-MN4、串联的增强型NMOS管MN5-MN9、MN11-MN12和电阻R1、R2构成基于VGS的基准电压电路，该基准电路的输出为检测比较器反相端的基准电压信号VREF。
由于本电路中耗尽管阈值电压为负值，且栅源电压恒为0,故耗尽型管始终工作在饱和区。且其电流值恒定为：
同时为满足该电路低功耗的要求，应尽可能使电路中增强性管工作在亚阈值区。如图3所示，基于衬偏效应和源极电位的升高，MN5管工作于亚阈值区。
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