RF功率器件的设计及应用
下具有+30dBm额定输出功率。MW7IC18100N是HV7 LDMOS两级RF IC，在1dB压缩下具有100W(+50dBm)的额定输出功率。综合来看，这两个器件创建了高性能的1,800MHz GSM系统，具有近50dB的增益、37%的线路效率，以及+46dBm输出功率下的1.5% EVM性能，如图14和15所示。低成本塑料封装、紧凑的电路版图以及使用最少的RF器件使得这一应用为成本敏感的GSM市场提供了理想的解决方案。
图16是针对TD-SCDMA应用的RF示范电路的典型性能。该电路包括驱动MRF6S21100H分立晶体管的MW6IC2215N RF IC。MW6IC2215N是一款两级HV6 LDMOS RF IC，而MRF6S21100H是一款HV6 LDMOS分立陶瓷晶体管。这些器件在1dB压缩下分别具有15W和100W的额定输出功率。尽管这些器件不是专门用于TD-SCDMA市场，但*估表明它们具有优异的六载波TD-SCDMA性能。在+38dBm输出功率下，线路增益为43dB，未经校正的邻道功率为-51.4dBc，未经校正的相间信道功率为-52.3dBc。
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