2008年12月8日,中芯宣布首批45纳米产品通过良率测试

EDA/PCB 时间:2009-12-04来源:电子产品世界
  2008年12月8日,中芯国际集成电路制造有限公司宣布其第一批45纳米产品已成功通过良率测试,此时距2007年12月该公司与IBM签订45纳米低功耗和高性能bulkCMOS(互补金属氧化物半导体)技术许可协议不到1年时间。

关键词: 中芯国际 45纳米

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