IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM
IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。
IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM还表示，基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒，与同类SRAM相比待机功耗降低4倍，软错误率降低1000多倍，功耗也大大减少。
IBM希望将32nm SOI技术推向更广阔的领域。IBM已经向其代工客户提供32nm SOI技术，ARM正在为该技术开发库，双方的合作将持续到22nm SOI技术。
IBM的工程师将于12月的IEDM上详细描述32nm和22nm嵌入式DRAM技术。
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