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美的MC-SYl83B电磁炉采用分立元件方式门控管(IGBT)驱动电路图
美的MC-SYl83B电磁炉采用分立元件方式门控管(IGBT)驱动电路图

原理电路见附图所示，R12 与IGBT 管的G、E 极寄生电容并联，起放电保护作用；Z1 起限幅作用。因为IGBT 管的G 极与E 极之间存在着较大的寄生电容，所以在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数安培的充放电电流才能满足通／断的动态要求。电磁灶工作时，波形发生器IC1—D 脚输出脉冲信号送到由Q8、Q9 组成的推挽放大电路。当脉冲信号为高电平时，Q9 导通，+18V 电源通过R43、R13 对IGBT 管的C 极寄生电容充电，当G 极电压大于门电压时，IGBT 管处于导通状态；当脉冲信号为低电平时，Q8 导通，寄生电容通过R13 和Q8 放电，当G 极电压小于门电压时，IGBT 管处于截止状态。

关键词： 电磁炉 分立元件方式 门控管(IGBT)驱动 电路图