HBM4价格涨幅超50%，三星紧追SK海力士
最近，SK海力士完成了与英伟达的HBM4供应价格谈判。根据双方协议，HBM4的最终供应价格定在每颗约560美元，较上一代HBM3E（约370美元）涨幅超过50%。不过，由于HBM4采用更复杂的堆叠技术（如混合键合技术），以实现更高的互连密度和更小的节距，因此SK海力士在台积电生产的HBM4芯片总成本比上一代产品增加了30%。
HBM4价格暴涨
今年5月，集邦咨询曾在报告中预测，HBM4溢价幅度将突破30%，但SK海力士与英伟达的这场谈判超过了行业最初的预期。SK海力士向英伟达提出的HBM4报价为每颗540~560美元左右，尽管英伟达不愿接受如此高的报价，但最终仍按照SK海力士的提案确定了价格。实际落地价格比市场预期高出10%以上，凸显出AI算力需求持续爆发下，高端存储芯片的供需失衡状况比想象中更为严重。
HBM4价格暴涨正深刻影响着AI芯片的成本结构：根据行业数据，HBM4占英伟达下一代GPU（如Rubin架构）总成本的25%，较HBM3E时代的18%大幅提升。而英伟达已通过AI芯片涨价15%来转嫁部分成本，这一变化将进一步推高AI服务器整机价格，可能抑制中小型企业的算力采购需求。
从技术角度看，HBM4的数据传输通道数量达到2048个，是HBM3E（1024个）的两倍，大幅提升了数据处理速度。另外，HBM4在基底芯片中集成了计算优化和能效管理等逻辑功能。
实际上，市场垄断地位为SK海力士提供了定价权。当前全球HBM市场竞争格局中，SK海力士以62%的出货量市场份额占据绝对领先地位，美光科技以21%位列第二，三星电子则以17%位居第三。今年3月，SK海力士就率先向英伟达交付了全球首款HBM4 12层堆栈样品，6月开始供应初始批次 —— 这种技术领先和市场时机优势，为其在价格谈判中增加了重要筹码。
有消息显示，美光的HBM4产品难以满足英伟达对性能和功耗的要求，可能需要重新设计芯片架构，导致量产延后长达9个月；三星的HBM4则仍在积极提升良率当中，预计明年上半年才能量产。这使得SK海力士成为目前唯一能够满足英伟达要求的HBM4供应商，在谈判中占据绝对优势。
三星目标价格瞄准SK海力士
据业内人士透露，英伟达在与SK海力士敲定明年的HBM4供货合同仅一周后，便邀请三星参与明年HBM4供应的价格谈判。目前谈判已进入最后阶段，预计年内将做出最终决定。
虽然三星此前供应的12层堆叠的HBM3E的单价相对较低，比SK海力士的同类产品低约30%，但是对于12层堆叠的HBM4的供应价格，三星的目标是以英伟达与SK海力士签订HBM4供应合同的价格相当，即维持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供应价格提升了超过150%。
一位消息人士解释说：“三星此前已为英伟达预留了HBM3E芯片，但由于认证延迟，导致产品无法及时出货，迫使其紧急将产品供应给其他大型科技公司。这部分产品不得不以更低的价格出售，从而拉低了平均单价。”
值得注意的是，三星正在利用更先进1c DRAM的HBM4的大规模生产，来确保对SK海力士的基于1b DRAM的HBM4的竞争优势。这或许也是三星要求对英伟达供应HBM4的价格与SK海力士相当的底气；同时，明年市场对于HBM4的需求已经超过了市场供应，在只有SK海力士和三星具有HBM4量产供应能力的情况下，三星自然不愿意降低单价，即使降价，价格差异也不会很大。
三星最早可能在明年第二季度就开始供应芯片，这将打破SK海力士在上半年垄断英伟达HBM4供应的格局，并将两家公司之间的供应差距从半年一次缩小到季度一次。然而，要实现这一愿景，提早实现大规模量产必不可少。目前，三星1c DRAM的HBM4标准良率仅为50%。
为了避免在DRAM领域失去主导地位，提升对于SK海力士的竞争力，三星计划在明年年底前将其HBM4的1C DRAM产能从目前的每月2万片晶圆提高到每月15万片晶圆，以满足市场对于HBM4的需求。三星官员表示：“如果算上现有成熟工艺线改造为1c DRAM的产能，我们明年每月将能够分配约15万个1c DRAM晶圆用于HBM4。”
中国正在加速追赶
面对HBM市场的巨大机遇和技术壁垒，中国存储产业正在加速追赶。目前，长鑫存储已实现16nm HBM3量产并供应华为，成为全球第三个具备HBM3量产能力的国家。尽管国产HBM3在层数（8层）和带宽（6.4Gbps）上落后于SK海力士的12层HBM3E（9.6Gbps），但16nm工艺成熟度已支撑商业化落地。
国家投入超百亿资金支持国产HBM发展：在产业链协同方面，国产设备厂商（如中微公司的先进封装设备、赛腾股份的HBM检测设备）和材料供应商已切入HBM供应链，目标2026年市占率突破20%。
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