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　　图：CN5610应用电路图
　　其中：
　　L1 为电感
　　流经电阻R6 的电流应该能够满足稳压二极管击穿的需要，也要为CN5610 提供大约1 毫安的工作电流。
　　C1 是VDD 滤波电容，电容值为10uF
　　D1 是稳压二极管，因为D1 的击穿电压即是CN5610 的工作电压，所以击穿电压的选择要确保能够驱动片外场效应晶体管M1。对高压场效应晶体管，击穿电压应该在5.8V 左右。
　　D2 为整流二极管，采用肖特基二极管可以提高转换效率
　　Q1 和Q2 是通用PNP 三极管，其型号可根据集电极-发射极需承受的电压来选择。对于输入电压大于200V 的应用，可以选择A94。
　　M1 是N 型场效应晶体管，其型号的选择主要根据漏-源承受的最高电压确定的，使导通电阻和开启电压尽量低。对于高于200V 的输入电压，可以选择IRF840 等型号。
　　R2 用来设置Q2 的集电极电流，该电流可设置在100 微安左右。
　　R3 设置三极管Q1 的集电极电流，使得该电流等于Q2 的集电极电流。
　　R4 用来调整最小电感电流。
　　R5 用来调整最大电感电流。
　　R1,R3, R4 和 R5 共同决定了最大电感电流和最小电感电流，具体公式如下：
　　最大电感电流Imax:
　　Imax＝(0.3×R3)／(R1×R5)……………………………(1)
　　最小电感电流Imin:
　　Imin＝(1.22×R3)／(R1×(R4＋R5))……………………(2)