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意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。

STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（eGaN HEMT）输出精准受控的 5V 栅极驱动信号，高端工作电压分别最高支持 220V 与 600V。两款驱动器集成度极高，在紧凑的 QFN 封装内集成了高端与低端 5V 线性稳压器（LDO）、高端自举二极管，以及欠压锁定（UVLO）等保护功能。

内置的快速启动稳压器可稳定驱动器输出级供电电压，确保栅极控制一致性；片上比较器在检测到过流时会同时关断两颗 GaN 器件。智能关断（SmartSD）功能可自动保持开关关断足够长的时间以实现降温，故障引脚则可上报过流、过热及欠压锁定状态。

该系列驱动器专为最大化发挥 GaN 技术优势而设计，尤其适用于运动控制等硬开关应用场景。高端与低端通道传输延迟仅 50ns 且高度匹配，高端启动时间 5µs，具备 ±200V/ns 的 dV/dt 抗扰能力，可支持高转速运行。

集成的线性稳压器（LDO）具备大电流驱动能力，栅极泄放与驱动采用独立通路，泄放电流可达 1.8A/1.2Ω，驱动电流 0.8A/4.0Ω。栅极驱动器输出架构允许工程师分别设置开通与关断阻抗，以优化 dV/dt 与 dI/dt 特性，从而省去关断二极管。这有助于降低物料成本、减小栅极环路电感，并实现更快关断，提升抗误导通余量。

STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 具备 20V 耐压逻辑输入与专用关断引脚，可在待机时降低功耗，简化系统设计与集成。EVLSTDRIVEG212 评估板 同时适用于两款芯片，现已上市。

两款器件均为工业级产品，工作温度范围为 -40℃ 至 125℃，目前已量产，采用 4mm×5mm QFN 封装，1000 片起订单价 1.25 美元起。

关键词： STDRIVEG212 STDRIVEG612 意法半导体 氮化镓 GaN 高速半桥栅极驱动器

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