儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET

电源与新能源 时间:2019-07-15来源:电子产品世界

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。

这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°,有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率,或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外,随着额定温度的增加,安全工作区域(SAO)亦改善了20%。

这些BiC MOSFET具有出色的性能数据,非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。英飞凌OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。

1563156626971807.jpg

关键词: 儒卓力 英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET

加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号:EEPW

或用微信扫描左侧二维码

相关文章


用户评论

请文明上网,做现代文明人
验证码:
查看电脑版