美光科技就中国福建省专利诉讼案件的声明

网络与存储 时间:2018-07-06来源:电子产品世界

  美光科技有限公司(纳斯达克代码:MU)宣布,中国福建省福州市中级人民法院于今日通知美光科技的两家中国子公司,针对联华电子股份有限公司(以下简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称“晋华”)提起专利侵权诉讼的案件,该法院已批准向美光科技两子公司裁定初步禁令。这次联电和晋华提起专利侵权诉讼,实为报复此前台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密提起的刑事诉讼,以及美光科技就此针对联电和晋华向美国加利福尼亚北区联邦地区法院提起的民事诉讼。

  该初步禁令禁止美光科技两中国子公司在中国制造、销售或进口 Crucial(英睿达)和 Ballistix(铂胜)品牌部分型号的 DRAM 内存条和固态硬盘。受影响产品的销售额在美光年营收中的占比略超 1%。由于已经进入第四财政季度,美光预计此项禁令对于本季度营收的影响约为 1%,本季营收将保持在先前估计的 80 亿到 84 亿美元之间。美光将依法遵守这项禁令,但同时会申请福州中级人民法院重新考虑或中止执行该裁决。

  “美光科技对福州市中级人民法院的裁决深表遗憾。我们坚信诉讼所涉专利无效,美光的产品没有侵犯专利权,但福州法院并未给予美光陈述和辩护的机会,即发出此项初步禁令。”美光科技高级副总裁、总法律顾问兼公司秘书长 Joel Poppen先生表示,“福州法院的此项禁令和其他做法,并不符合以适宜法律程序进行公平审讯的基本法律准则。长期以来,美光在中国的业务运营一直非常成功,包括在西安设有重要封装测试制造基地,并且与很多重要的中国客户保持着深厚关系。美光将继续就不实的专利侵权指控进行积极抗辩,同时继续与客户和合作伙伴保持密切合作。”

  2018 年 1 月,联电和晋华在中国福建省向美光的中国子公司提起专利侵权诉讼,主张Crucial(英睿达)和 Ballistix(铂胜)品牌部分型号的 DRAM 内存条和固态硬盘侵犯了联电和晋华在中国的专利权。诉讼所涉每项专利原先均由联电获得授权 ——这家总部位于台湾的逻辑半导体代工厂一直以来并未掌握先进 DRAM 和 NAND 闪存技术。尽管美光的 DRAM 和 NAND 技术或产品中并未使用这些专利,UMC 和晋华却基于对专利内容的曲解和不实证据对美光提出侵犯专利权的不实指控。此外,美光已经向中国国家知识产权局专利复审委员会提交强有力的证据,证明联电与晋华所主张的涉案专利无效,因其所涉技术为之前已由其他科技公司在其他国家/地区开发和取得专利权。

  中国中央政府一再强调,外国企业在中国的权利将受到公平、同等的保护。美光认为,福建省福州市中级人民法院此次作出的裁决与中国政府所主张的政策不相符。

  美光致力于在全球积极保护和执行其商业机密和知识产权,美光在美国加利福尼亚州对联电和晋华提起的民事诉讼正是出于这一初衷。目前该诉讼仍在进行当中。

关键词: 美光科技 DRAM NAND

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